退火片檢測(cè)

查看更多 >

退火片檢測(cè) 檢測(cè)介紹

退火片是在中性或還原氣氛中進(jìn)行高溫退火而導(dǎo)致硅拋光片近表面潔凈區(qū)內(nèi)無晶體缺陷[包括晶體原生巴坑(COP)]的硅片。中科檢測(cè)開展退火片檢測(cè)服務(wù),檢測(cè)報(bào)告具備CMA、CNAS資質(zhì)。

退火片檢測(cè) 檢測(cè)項(xiàng)目

1. 基本要求:生長(zhǎng)方式、晶向、晶向偏離度、導(dǎo)電類型、摻雜劑、晶體中共摻雜 、電阻率、徑向電阻率變化、氧含量、徑向氧含量變化等
2. 幾何參數(shù):厚度及允許偏差、總厚度變化、翹曲度、局部平整度
3. 表面質(zhì)量:局部光散體、劃傷總長(zhǎng)度、霧、光澤度、表面沾污、其他缺陷
4. 表面金屬含量:鈉、鋅、鈣、鎳等
5. 其他性能:氧化誘生缺陷、體金屬(鐵)含量、潔凈區(qū)寬度(DZ)、體微缺陷密度(BMD)

退火片檢測(cè) 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 26069-2022  硅單晶退火片
GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
GB/T 2828.1-2012 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1部分按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T 4058 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
GB/T 6616 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法
GB/T 6624 硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法
GB/T 12962 硅單晶
GB/T 12965 硅單晶切割片和研磨片
GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)
GB/T 19921 硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法
GB/T 29504 300mm硅單晶
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及總厚度變化測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T 29508 300 mm 硅單晶切割片和磨削片
GB/T 32280 硅片翹曲度和彎曲度的測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T 39145 硅片表面金屬元素含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
YS/T28 硅片包裝
 YS/T 679 非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試表面光電壓法

退火片檢測(cè) 相關(guān)資訊

查看更多 >
檢測(cè)服務(wù)
檢測(cè)標(biāo)簽
檢測(cè)專題
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
檢測(cè)文章
免費(fèi)咨詢
可加急,最快5分鐘成交,最遲2小時(shí)聯(lián)系
* 咨詢內(nèi)容
您的稱呼
* 手機(jī)號(hào)碼
+86
電子郵箱